Behörighetskrav

120 hp inom teknik/naturvetenskap, inklusive Elektronik I/Analog elektronik och Kvantfysik/Kvantfysik F/Fasta tillståndets fysik I/Modern fysik. Engelska 6. (Med en svensk kandidatexamen uppfylls kravet på engelska.)

Mål

Efter godkänd kurs ska studenten kunna:

• beskriva fysikaliska fenomen och beräkna fysikaliska storheter inom halvledarfysik,
• övergripande redogöra för kvantfysikaliska fenomen inom halvledarkomponenter,
• förklara principerna för dagens halvledarkomponenter såsom dioder och transistorer särskilt deras IV- (ström-spänning) och CV-karakteristik (kapacitans-spänning),
• kritiskt analysera vetenskapliga artiklar och litteratur inom ämnet.

Innehåll

Fasta och rörliga laddningar samt dopning. Generation och rekombination av laddningsbärare. Teorin för strömtransport i halvledare (kontinuitetsekvationen). pn-övergången och metall-halvledar-övergången. MOS-kondensatorn. MOS-transistorn. Tillverkningsteknik för halvledare. Piezoelektricitet, Peltier- och Seebeckeffekten, solceller.

Undervisning

Föreläsningar, lektioner, laborationer och studiebesök.

Examination

Skriftlig tentamen vid kursens slut (4 hp). Laborationer (1 hp).

Om särskilda skäl finns får examinator göra undantag från det angivna examinationssättet och medge att en enskild student examineras på annat sätt. Särskilda skäl kan t.ex. vara besked om särskilt pedagogiskt stöd från universitetets samordnare för studenter med funktionsnedsättning.