Halvledarteknologi

4 poäng

Kursplan, C-nivå, 1TG030

Kod
1TG030
Nivå
C
Ämne(n)
Teknik
Betygsskala
Med beröm godkänd (5), Icke utan beröm godkänd (4), Godkänd (3), Underkänd (U)
Fastställd av
Teknisk-naturvetenskapliga fakultetsnämnden, 24 april 2002
Ansvarig institution
Institutionen för teknikvetenskaper

Behörighetskrav

Elektronik eller Elektrisk mätteknik. Fasta

tillståndets fysik I eller Materialfysik eller Kvantfysik fk.

Syfte

Att förstå dagens halvledarkomponenter och ge

nödvändiga och grundläggande kunskaper för att

förstå framtida komponenter, tillverknings

processer och applikationer. Kursen avser att visa

hur fysik och teknologi knyts samman. Detta görs

med hjälp av beräkningar, funktionsstudier och

beskrivning av tillverkningsprocesser för

halvledarkomponenter.

Innehåll

Grunderna för olika halvledarkomponenter med

särskild hänsyn till de fysikaliska principerna.

Teorin för strömtransport i halvledare.

Rekombination av laddningsbärare. Teorin för pn-

övergången och metall-halvledar-övergången.

Zener- och lavineffekt i halvledarkomponenter.

Tillverkningsmetoder för integrerade kretsar:

lithografi, materialaspekter som dopning och

oxidering, tunnfilmsteknologi som deponering och

etsning.

Laborationer:

1. Teknologilaboration. Tillverkning av pn-diod

och Schottky-diod (1 dag).

2. MOS-transistorn.

Undervisning

Föreläsningar, lektioner, laborationer.

Examination

Skriftlig och/eller muntlig tentamen vid kursens slut. För godkännande fordras även godkänt betyg på laborationskursen.

FÖLJ UPPSALA UNIVERSITET PÅ

Uppsala universitet på facebook
Uppsala universitet på Instagram
Uppsala universitet på Youtube
Uppsala universitet på Linkedin