Halvledarteknologi
Kursplan, C-nivå, 1TG030
Kursen är avvecklad.
- Kod
- 1TG030
- Nivå
- C
- Ämne(n)
- Teknik
- Betygsskala
- Med beröm godkänd (5), Icke utan beröm godkänd (4), Godkänd (3), Underkänd (U)
- Fastställd av
- Teknisk-naturvetenskapliga fakultetsnämnden, 24 april 2002
- Ansvarig institution
- Institutionen för teknikvetenskaper
Behörighetskrav
Elektronik eller Elektrisk mätteknik. Fasta
tillståndets fysik I eller Materialfysik eller Kvantfysik fk.
Syfte
Att förstå dagens halvledarkomponenter och ge
nödvändiga och grundläggande kunskaper för att
förstå framtida komponenter, tillverknings
processer och applikationer. Kursen avser att visa
hur fysik och teknologi knyts samman. Detta görs
med hjälp av beräkningar, funktionsstudier och
beskrivning av tillverkningsprocesser för
halvledarkomponenter.
Innehåll
Grunderna för olika halvledarkomponenter med
särskild hänsyn till de fysikaliska principerna.
Teorin för strömtransport i halvledare.
Rekombination av laddningsbärare. Teorin för pn-
övergången och metall-halvledar-övergången.
Zener- och lavineffekt i halvledarkomponenter.
Tillverkningsmetoder för integrerade kretsar:
lithografi, materialaspekter som dopning och
oxidering, tunnfilmsteknologi som deponering och
etsning.
Laborationer:
1. Teknologilaboration. Tillverkning av pn-diod
och Schottky-diod (1 dag).
2. MOS-transistorn.
Undervisning
Föreläsningar, lektioner, laborationer.
Examination
Skriftlig och/eller muntlig tentamen vid kursens slut. För godkännande fordras även godkänt betyg på laborationskursen.