Kemisk bindning och strukturformation
Kursplan, Avancerad nivå, 1FA580
- Kod
- 1FA580
- Utbildningsnivå
- Avancerad nivå
- Huvudområde(n) med fördjupning
- Fysik A1N
- Betygsskala
- Underkänd (U), godkänd (3), icke utan beröm godkänd (4), med beröm godkänd (5)
- Fastställd av
- Teknisk-naturvetenskapliga fakultetsnämnden, 18 mars 2010
- Ansvarig institution
- Institutionen för fysik och astronomi
Behörighetskrav
Kvantfysik, fasta tillståndets fysik eller motsvarande.
Mål
Efter godkänd kurs skall studenten kunna
- hantera de grundläggande koncepten inom täthetsfunktionalteori och tillämpa denna teori för att beskriva materialegenskaper
- redogöra för skillnader mellan pseudopotentiala metoder och tight-binding metoder, samt analysera materialgrupper där de olika metoderna har sina styrkor respektive svagheter
- beskriva generella trender gällande kemisk bindning och strukturformation hos material i fas och molekylär form
- förklara grundläggande skillnader mellan de olika former av kemisk binding som är relevanta för olika materialgrupper, samt gruppera material inom de viktigaste typerna av kemisk binding.
Innehåll
Grundläggande moment i kemisk bindning i molekylära system och fasta material beskrivs. Detta innebär en teoretisk beskrivning av elektronstrukturen hos dessa system, både med pseudopotentialmedoder och s.k. tight-binding metoder. Koppling mellan elektronstrukturer och strukturella egenskaper beskrivs i detalj, t.ex. strukturstabilitetsteoremet och momentutveklingar.
Grundläggande begrepp inom täthetsfunktionalteori behandlas även. Stor vikt fästs vid en stark koppling mellan observerade trender i kemisk bindning i periodiska systemet, med de teoretiska modellerna som beskrivs i kursen.
Undervisning
Undervisning sker i form av föreläsningar och lektionsövningar.
Examination
Inlämningsuppgifter där 4 av 8 problemlösningar skall vara godkända för betyget 3, 6 av 8 problemlösningar skall vara godkända för betyget 4, och 7 av 8 problemlösningar skall vara godkända för betyget 5.
Uppgifter skrivna på engelska.