Behörighetskrav

30 hp inom teknik/naturvetenskap inklusive Elektroteknikens grunder II: Kretsteori, samt Funktionslära för ingenjörer/Envariabelanalys.

Mål

Efter godkänd kurs ska studenten kunna:

• beräkna förstärkningen för en resistiv OP-krets med negativ återkoppling,
• analysera och syntetisera första ordningens filter (kapacitiva) med Bode-diagram; både passiva och spänningsmotkopplade OP,
• analysera och syntetisera vilopunkten (GE, GC och GB för bjt och GS, GD och GG för MOS) för transistorer (likströmsegenskaper och signalparametrar),
• rita och tillämpa signalschema för transistorkretsar enligt ovan för att bestämma in- och utresistans, bandbredd och förstärkning,
• analysera och syntetisera Wien- och fasskiftsoscillatorn,
• beräkna maximal förlust- och uteffekt för Klass A, Klass B och Klass AB-steg för en sinusformad spänning
• analysera utspänning och uteffekt av ett linjärt spänningsaggregat uppbyggt av en OP och en zenerdiod
• använda simuleringsprogram för analys och konstruktion av elektroniska kretsar.

Innehåll

Operationsförstärkare, dioder, bipolära och fälteffekt (FET) transistorer, transistorförstärkare, analoga oscillatorer, kylflänsar, frekvensegenskaper hos grundläggande komponenter och kretsar, framtagning av mönsterkort, lödning av kretskort, regulatoriska krav för CE-märkning.Termisk resistans och kylning; principer för mönsterkortsdesign.

Undervisning

Föreläsningar, laborationer, handledning, grupparbeten och seminarier.

Examination

Skriftlig tentamen, 5 hp. Inlämningsuppgifter 5 hp.

​Om särskilda skäl finns får examinator göra undantag från det angivna examinationssättet och medge att en student examineras på annat sätt. Särskilda skäl kan t.ex. vara besked om särskilt pedagogiskt stöd från universitetets samordnare för studenter med funktionsnedsättning.

Övriga föreskrifter

Kursen kan inte medräknas i examen tillsammans med 1TE646 Elektronik.