Henry Nameirakpam

Doktorand vid Institutionen för fysik och astronomi; Röntgenfysik

E-post:: henry.nameirakpam@physics.uu.se
Besöksadress:: Ångströmlaboratoriet, Lägerhyddsvägen 1
Postadress:: Box 516
751 20 UPPSALA

Ladda ned kontaktuppgifter för Henry Nameirakpam vid Institutionen för fysik och astronomi; Röntgenfysik

Doktorand vid Institutionen för fysik och astronomi; Röntgenfysik; Energimaterialens fysik

E-post:: henry.nameirakpam@physics.uu.se
Besöksadress:: Ångströmlaboratoriet, Lägerhyddsvägen 1
Postadress:: Box 516
751 20 UPPSALA

Ladda ned kontaktuppgifter för Henry Nameirakpam vid Institutionen för fysik och astronomi; Röntgenfysik; Energimaterialens fysik

Biografi

Denna text finns inte på svenska, därför visas den engelska versionen.

I am a PhD student with Quantum Material Device (QMD) group. My work explores two-dimensional (2D) materials such as graphene, MoS2, WS2, and aBN and their electrical properties. I value open communication and enjoy discussing science in easy-to-understand terms, making complex concepts accessible to everyone.

Forskning

Denna text finns inte på svenska, därför visas den engelska versionen.

I explore two-dimensional (2D) materials, focusing on their electrical properties and device applications. My research involves graphene, molybdenum disulfide (MoS2), tungsten disulfide (WS2), and amorphous boron nitride (aBN), with a particular emphasis on the chemical vapor deposition (CVD) synthesis of MoS2 and graphene/MoS2 heterostructures. I design and fabricate nanoscale devices, such as field-effect transistors, memristor, and conduct electrical measurements to assess their performance.