Behörighetskrav

120 hp inom teknik/naturvetenskap inklusive 10 hp elektronik och 15 hp matematik. Engelska 6. Med en svensk kandidatexamen uppfylls kravet på engelska.)

Mål

Efter godkänd kurs ska studenten kunna:​

• analysera fysikaliska fenomen och beräkna relevanta storheter inom halvledarfysik,
• värdera transportmekanismer i halvledare,
• modellera dioder och transistorer transistorer i nya och realistiska tillämpningar,
• analysera I-V och C-V karakteristik av halvledarkomponenter såsom dioder och transistorer,
• använda dioder och transistor i enkla kretsar,
• simulera och analysera konstruktion av elektroniska kretsar med hjälp av programvara.

Innehåll

Ett paradigmskifte från elektrontransport i vakuum till ledning via energiband i fasta material; utforskning av laddningsbärare och deras egenskaper i halvledare, inklusive kontroll av koncentration, rörlighet och transportmekanismer; introduktion till enriktad strömledning - från vakuumrör till p-n-övergångar; grundläggande byggstenar i modern elektronik, såsom MOS- och bipolära junctiontransistorer; användning av datorsimulering för att analysera diod- och transistoregenskaper samt deras funktion i kretsar.

Undervisning

Föreläsningar, grupparbete, problemlösningar och laborationer. Föreläsningar och grupparbeten kommer att använda sig av online-verktyg.

Examination

Laboration (2 hp), skriftliga inlämningsuppgifter (2 hp) samt muntlig tentamen (1 hp).

Om särskilda skäl finns får examinator göra undantag från det angivna examinationssättet och medge att en enskild student examineras på annat sätt. Särskilda skäl kan t.ex. vara besked om särskilt pedagogiskt stöd från universitetets samordnare för studenter med funktionsnedsättning.