Kursplan för Halvledarelektronik

Semiconductor Electronics

Kursplan

  • 5 högskolepoäng
  • Kurskod: 1TE039
  • Utbildningsnivå: Avancerad nivå
  • Huvudområde(n) och successiv fördjupning: Teknik A1N

    Förklaring av koder

    Koden visar kursens utbildningsnivå och fördjupning i förhållande till andra kurser inom huvudområdet och examensfordringarna för generella examina:

    Grundnivå
    G1N: har endast gymnasiala förkunskapskrav
    G1F: har mindre än 60 hp kurs/er på grundnivå som förkunskapskrav
    G1E: innehåller särskilt utformat examensarbete för högskoleexamen
    G2F: har minst 60 hp kurs/er på grundnivå som förkunskapskrav
    G2E: har minst 60 hp kurs/er på grundnivå som förkunskapskrav, innehåller examensarbete för kandidatexamen
    GXX: kursens fördjupning kan inte klassificeras.

    Avancerad nivå
    A1N: har endast kurs/er på grundnivå som förkunskapskrav
    A1F: har kurs/er på avancerad nivå som förkunskapskrav
    A1E: innehåller examensarbete för magisterexamen
    A2E: innehåller examensarbete för masterexamen
    AXX: kursens fördjupning kan inte klassificeras.

  • Betygsskala: Underkänd (U), godkänd (3), icke utan beröm godkänd (4), med beröm godkänd (5)
  • Inrättad: 2010-03-16
  • Inrättad av: Teknisk-naturvetenskapliga fakultetsnämnden
  • Reviderad: 2018-08-30
  • Reviderad av: Teknisk-naturvetenskapliga fakultetsnämnden
  • Gäller från: vecka 30, 2019
  • Behörighet: 120 hp inom teknik/naturvetenskap, inklusive Elektronik I och Kvantfysik/Fasta tillståndets fysik I/Modern fysik.
  • Ansvarig institution: Institutionen för teknikvetenskaper

Mål

Efter godkänd kurs ska studenten kunna:

  • beskriva fysikaliska fenomen och beräkna fysikaliska storheter inom halvledarfysik,
  • övergripande redogöra för kvantfysikaliska fenomen inom halvledarkomponenter,
  • förklara principerna för dagens halvledarkomponenter såsom dioder och transistorer särskilt deras I-V (ström-spänning) och C-V (kapacitans-spänning) karakteristik,
  • kritiskt analysera vetenskapliga artiklar och litteratur inom ämnet.

Innehåll

Fasta och rörliga laddningar samt dopning. Generation och rekombination av laddningsbärare. Teorin för strömtransport i halvledare (kontinuitetsekvationen). pn-övergången och metall-halvledar-övergången. MOS-kondensatorn. MOS-transistorn. Bipolära transistorn. Halvledar tillverkningsteknik. Piezoelektricitet, Peltier- och Seebackeffekten, solceller.
Laboration: Mätlabb och dataanalys.

Undervisning

Föreläsningar, lektioner, laborationer och studiebesök.

Examination

Skriftlig tentamen vid kursens slut (4 hp). Laborationer (1 hp). 
 
Om särskilda skäl finns får examinator göra undantag från det angivna examinationssättet och medge att en enskild student examineras på annat sätt. Särskilda skäl kan t ex vara besked om särskilt pedagogiskt stöd från universitetets samordnare för studenter med funktionsnedsättning.

Litteratur

Litteraturlista

Gäller från: vecka 30, 2019

  • Hu, Chenming. Modern semiconductor devices for integrated circuits

    Upper Saddle River, N.J.: Prentice Hall, c2010

    Se bibliotekets söktjänst

(The electronic version of this book will be available in the Student portal.)