Kursplan för Halvledarelektronik

Semiconductor Electronics

Kursplan

  • 5 högskolepoäng
  • Kurskod: 1TE039
  • Utbildningsnivå: Avancerad nivå
  • Huvudområde(n) och successiv fördjupning: Teknik A1N, Kvantteknologi A1N

    Förklaring av koder

    Koden visar kursens utbildningsnivå och fördjupning i förhållande till andra kurser inom huvudområdet och examensfordringarna för generella examina:

    Grundnivå

    • G1N: har endast gymnasiala förkunskapskrav
    • G1F: har mindre än 60 hp kurs/er på grundnivå som förkunskapskrav
    • G1E: innehåller särskilt utformat examensarbete för högskoleexamen
    • G2F: har minst 60 hp kurs/er på grundnivå som förkunskapskrav
    • G2E: har minst 60 hp kurs/er på grundnivå som förkunskapskrav, innehåller examensarbete för kandidatexamen
    • GXX: kursens fördjupning kan inte klassificeras

    Avancerad nivå

    • A1N: har endast kurs/er på grundnivå som förkunskapskrav
    • A1F: har kurs/er på avancerad nivå som förkunskapskrav
    • A1E: innehåller examensarbete för magisterexamen
    • A2E: innehåller examensarbete för masterexamen
    • AXX: kursens fördjupning kan inte klassificeras

  • Betygsskala: Underkänd (U), godkänd (3), icke utan beröm godkänd (4), med beröm godkänd (5)
  • Inrättad: 2010-03-16
  • Inrättad av: Teknisk-naturvetenskapliga fakultetsnämnden
  • Reviderad: 2022-10-20
  • Reviderad av: Teknisk-naturvetenskapliga fakultetsnämnden
  • Gäller från: HT 2023
  • Behörighet:

    120 hp inom teknik/naturvetenskap, inklusive Elektronik I/Analog elektronik och Kvantfysik/Kvantfysik F/Fasta tillståndets fysik I/Modern fysik. Engelska 6. (Med en svensk kandidatexamen uppfylls kravet på engelska.)

  • Ansvarig institution: Institutionen för elektroteknik

Mål

Efter godkänd kurs ska studenten kunna:

  • beskriva fysikaliska fenomen och beräkna fysikaliska storheter inom halvledarfysik,
  • övergripande redogöra för kvantfysikaliska fenomen inom halvledarkomponenter,
  • förklara principerna för dagens halvledarkomponenter såsom dioder och transistorer särskilt deras IV- (ström-spänning) och CV-karakteristik (kapacitans-spänning),
  • kritiskt analysera vetenskapliga artiklar och litteratur inom ämnet.

Innehåll

Fasta och rörliga laddningar samt dopning. Generation och rekombination av laddningsbärare. Teorin för strömtransport i halvledare (kontinuitetsekvationen). pn-övergången och metall-halvledar-övergången. MOS-kondensatorn. MOS-transistorn. Tillverkningsteknik för halvledare. Piezoelektricitet, Peltier- och Seebeckeffekten, solceller.

Undervisning

Föreläsningar, lektioner, laborationer och studiebesök.

Examination

Skriftlig tentamen vid kursens slut (4 hp). Laborationer (1 hp).

Om särskilda skäl finns får examinator göra undantag från det angivna examinationssättet och medge att en enskild student examineras på annat sätt. Särskilda skäl kan t.ex. vara besked om särskilt pedagogiskt stöd från universitetets samordnare för studenter med funktionsnedsättning.

Litteratur

Litteraturlista

Gäller från: HT 2023

I bibliotekets söktjänst kan du se om en titel finns elektroniskt.

  • Hu, Chenming. Modern semiconductor devices for integrated circuits

    Upper Saddle River, N.J.: Prentice Hall, c2010

    Se bibliotekets söktjänst

(The electronic version of this book will be available in the Student portal.)